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SI4178DY-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：
 5175  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 12A SO8
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SI4178DY-T1-E3-8-SOIC（0.154

SI4178DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 8.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：405pF @ 15V
功率 - 最大：5W
安装类型：表面贴装

以上是SI4178DY-T1-E3的详细信息，包括SI4178DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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