PSMN8R0-30YL,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: LFPAK56，Power-SO8
数量：: 4554
说明：: MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

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PSMN8R0-30YL,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：29 ns
功率耗散：56 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9 nC
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：LFPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 mOhms
漏极连续电流：62 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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