PSMN8R0-40BS,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 711
说明：: MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET

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PSMN8R0-40BS,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：86 W
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.6 mOhms
漏极连续电流：77 A
闸/源击穿电压：4.8 V
汲极/源极击穿电压：36 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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