PSMN8R5-100XSQ

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220F
数量:
 765  
说明:
 MOSFET
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PSMN8R5-100XSQ PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:83 ns
上升时间:30 ns
功率耗散:55 W
栅极电荷 Qg:100 nC
下降时间:40 ns
封装形式:TO-220F
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):22.6 mOhms
漏极连续电流:49 A
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN8R5-100XSQ的详细信息,包括PSMN8R5-100XSQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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