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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:21 ns
工厂包装数量:50
上升时间:4.7 ns
功率耗散:86 W
下降时间:4.7 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):7.6 mOhms
漏极连续电流:77 A
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP
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