首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > NXH50M65L4Q1SG

NXH50M65L4Q1SG

厂家：: onsemi
封装：: 56-PIM（93x47）
数量：: 6642
说明：: Q1PACK 50A 650V

一、本商品被浏览0次.

NXH50M65L4Q1SG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：175°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：3.137 nF @ 20 V
电流 - 集电极截止（最大值）：300 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.22V @ 15V，50A
功率 - 最大值：86 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：48 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
配置：全桥
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：onsemi

以上是NXH50M65L4Q1SG的详细信息，包括NXH50M65L4Q1SG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：