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NXH80T120L3Q0S3G

厂家：
  onsemi
封装：
 20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
数量：
 6552  
说明：
 PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
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NXH80T120L3Q0S3G-20-PIM/Q0PACK（55x32.5）图片

NXH80T120L3Q0S3G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：18.15 nF @ 20 V
电流 - 集电极截止（最大值）：300 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，80A
功率 - 最大值：188 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：半桥
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：onsemi

以上是NXH80T120L3Q0S3G的详细信息，包括NXH80T120L3Q0S3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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