NXH35C120L2C2ESG

厂家：: onsemi
封装：: 26-DIP
数量：: 6687
说明：: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

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NXH35C120L2C2ESG PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：三相桥式整流器
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：8.333 nF @ 20 V
电流 - 集电极截止（最大值）：250 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
功率 - 最大值：20 mW
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器，带制动器
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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