VS-GT100TP60N

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 INT-A-PAK
数量:
 4104  
说明:
 IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
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VS-GT100TP60N PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装封装/外壳:INT-A-PAK(3 + 4)
安装类型:底座安装
工作温度:175°C(TJ)
NTC 热敏电阻:无
输入:标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies):7.71 nF @ 30 V
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A
功率 - 最大值:417 W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160 A
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
配置:半桥
IGBT 类型:沟道
产品状态:在售
包装:-
系列:散装
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-GT100TP60N的详细信息,包括VS-GT100TP60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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