NE552R479A

厂家:
  CEL
封装:
 79A
数量:
 3672  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管
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NE552R479A PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:100 mW
安装风格:SMD/SMT
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.4 S
封装形式:79A
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:2 V
漏极连续电流:230 mA
汲极/源极击穿电压:18 V
输出功率:26 dBm
增益:11 dB
频率:2.45 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:否
制造商:CEL

以上是NE552R479A的详细信息,包括NE552R479A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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