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中文参数如下:
功率耗散:100 mW
安装风格:SMD/SMT
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.4 S
封装形式:79A
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:2 V
漏极连续电流:230 mA
汲极/源极击穿电压:18 V
输出功率:26 dBm
增益:11 dB
频率:2.45 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:CEL
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