NE5531079A-T1-A

厂家:
  CEL
封装:
 79A
数量:
 8595  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
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NE5531079A-T1-A PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:35 W
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Tape
封装形式:79A
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:6 V
漏极连续电流:3 A
汲极/源极击穿电压:30 V
输出功率:40 dBm
增益:20.5 dB
频率:460 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
制造商:CEL

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