射频MOSFET电源晶体管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
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NE5531079A-T1-A PDF参数资料
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中文参数如下: 功率耗散:35 W 安装风格:SMD/SMT 包装形式:Tape 封装形式:79A 最大工作温度:+ 125 C 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:3 A 汲极/源极击穿电压:30 V 输出功率:40 dBm 增益:20.5 dB 频率:460 MHz 晶体管极性:N-Channel 配置:Single 制造商:CEL