IRF6617TR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DIRECTFET? ST
数量：: 1827
说明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
功率耗散：42 W
栅极电荷 Qg：11 nC
包装形式：Reel
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.3 mOhms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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