IRF6619

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 MX
数量：: 15831
说明：: MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS

一、本商品被浏览0次.

IRF6619 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：4800
上升时间：71 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：9.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MX
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.65 m Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6619的详细信息，包括IRF6619厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：