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GPA015A120MN-ND

厂家：: SemiQ
封装：: TO-3PN
数量：: 954
说明：: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

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GPA015A120MN-ND PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：320 ns
测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：25ns/166ns
栅极电荷：210 nC
输入类型：标准
开关能量：1.61mJ（开），530μJ（关）
功率 - 最大值：212 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：45 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：NPT 和沟道
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：SemiQ

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