GPA020A135MN-FD

厂家:
  SemiQ
封装:
 TO-3PN
数量:
 972  
说明:
 IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):425 ns
测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:25ns/175ns
栅极电荷:180 nC
输入类型:标准
开关能量:2.5mJ(开),760μJ(关)
功率 - 最大值:223 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:SemiQ

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