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FDB5690

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 3411  
说明：
 MOSFET 60V N-Channel Power Trench
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FDB5690-D2PAK（TO-263）图片

FDB5690 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：24 ns
工厂包装数量：800
上升时间：9 ns
功率耗散：58 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：32 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.027 Ohms at 10 V
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB5690的详细信息，包括FDB5690厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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