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FDB6021P

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 3474
说明：: MOSFET P-Channel PowerTrench

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FDB6021P-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FDB6021P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：800
上升时间：10 ns
功率耗散：37 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：33 S
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：28 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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