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FDB6021P_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263
数量：: 7506
说明：: MOSFET P-Channel PowerTrench

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FDB6021P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：37 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：33 S
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：- 28 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB6021P_Q的详细信息，包括FDB6021P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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