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FDB5645

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 3402  
说明：
 MOSFET 60V N-Channel Power Trench
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FDB5645-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

FDB5645 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：77 ns
工厂包装数量：800
上升时间：13 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：88 S
下降时间：42 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0095 Ohms at 10 V
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB5645的详细信息，包括FDB5645厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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