BSM10GD120DN2E3224BOSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 模块
数量:
 8208  
说明:
 IGBT MODULE 1200V 15A 80W
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装封装/外壳:模块
安装类型:底座安装
工作温度:150°C(TJ)
NTC 热敏电阻:无
输入:标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies):530 pF @ 25 V
电流 - 集电极截止(最大值):400 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,10A
功率 - 最大值:80 W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
配置:全桥
IGBT 类型:-
产品状态:最后售卖
包装:-
系列:托盘
品牌:Infineon Technologies

以上是BSM10GD120DN2E3224BOSA1的详细信息,包括BSM10GD120DN2E3224BOSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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