BSM10GP120

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
封装形式：EconoPIM2
最大工作温度：+ 125 C
功率耗散：100 W
栅极—射极漏泄电流：300 nA
在25 C的连续集电极电流：20 A
集电极—射极饱和电压：2.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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