| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NE25139-T1 | CEL | SOT-143 | MOSFET SOT-143 DL GT MESFET | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）|-|停产|MOSFET|Dual Gate|900MHz|20dB|5 V|40mA|1.1dB|10 mA|-|13 V... | ||||||
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NE25139-T1-U72 | NEC/CEL | MOSFET REORD 551-NE25139 SOT-143 DL GT MOSFET | |||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NE25339-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 7/01 SOT-143 DL GT MESFET | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NCY9100DWR2G | ON Semiconductor | MOSFET COMPANDOR | |||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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NE334S01-T1-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Low Noise HJ FET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：15 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，包... | ||||||
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NE34018 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：80 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-34... | ||||||
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NE34018-64 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：80 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-34... | ||||||
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NE334S01-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Low Noise HJ FET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：15 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，正... | ||||||
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NE3210S01-T1B-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：10 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，包... | ||||||
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NE38018 | CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：5 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-343... | ||||||
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NE429M01-T1 | NEC/CEL | Mini-6 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：2 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：10 mA，安装风格：SMD... | ||||||
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NE434S01-T1B | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：80 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，包... | ||||||
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NE4210S01-T1B-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：10 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，包... | ||||||
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NE42484A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET REORD 551-NE334S01 | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，漏极连续电流：40 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，工厂包装数量：50，... | ||||||
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NE34018-T1 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-... | ||||||
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NE34018-T1-64 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：80 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOT-34... | ||||||
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NE71383B | CEL | MOSFET KU-K BAND MESFET | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：5 V，闸/源击穿电压：- 5 V，漏极连续电流：30 mA，功率耗散：270... | ||||||
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NCP81161MNTBG | ON Semiconductor | 8-DFN（2x2） | 32 | MOSFET VR12.5 MOSFET DRIVER | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，安装风格：SMD/SMT，封装形式：DFN-8，包装形式：Reel，... | ||||||
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NCV8450STT3G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：45 V，漏极连续电流：80... | ||||||
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NE25118-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 10/00 SOT-343 DL GT MESFET | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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