首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NE334S01-A

NE334S01-A

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SO-1
数量：
 3294  
说明：
 MOSFET Low Noise HJ FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

NE334S01-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：300 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.085 S
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：15 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE334S01-A的详细信息，包括NE334S01-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • AOD380A60
  • TK5R1A08QM,S4X
  • RD3G03BBGTL1
  • BUK9Y22-60ELX
  • IPA041N04NGXKSA1
  • IRFR7540TRPBF
  • SIHP14N50D-GE3
  • TK16V60W,LVQ
  • NVTFS4C10NWFTAG
  • IAUZ30N10S5L240ATMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC