首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NE4210S01-T1B-A

NE4210S01-T1B-A

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SO-1
数量：
 3438  
说明：
 MOSFET Super Lo Noise HJFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

NE4210S01-T1B-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：4000
功率耗散：165 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.055 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：10 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE4210S01-T1B-A的详细信息，包括NE4210S01-T1B-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    • NE425S01图片

      NE425S01

      射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

    • 暂无电子元件图

      NE4503S01-A

      射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC