| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHK24NQ04LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFET N-CH 40V 21.2A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21.2 A，电阻汲... | ||||||
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PHK28NQ03LT /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK28NQ03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHK31NQ03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CH 30V 30.4A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30.4 A，电阻汲... | ||||||
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PHK4NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHK4NQ10T,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET N-CH TRENCHMOSTM TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/... | ||||||
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PHK4NQ20T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHK4NQ20T,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/... | ||||||
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PHK5NQ15T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHK5NQ15T,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHKD13N03LT,118 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10.4 A，电阻汲... | ||||||
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PHKD13N03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHKD3NQ10T,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS STD LEVEL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PHKD6N02LT /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PHKD6N02LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PHM21NQ15T,518 | NXP Semiconductors | 8-HVSON（5x6） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22.2 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHM25NQ10T,518 | NXP Semiconductors | 8-HVSON（5x6） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30.7 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHP101NQ03LT | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHP101NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHP101NQ04T | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET TRENCHMOS (TM)FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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