PHK31NQ03LT,518

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 8-SO
数量:
 4752  
说明:
 MOSFET MOSFET N-CH 30V 30.4A
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PHK31NQ03LT,518 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:54 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:62 ns
功率耗散:6900 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:26 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0044 Ohms
漏极连续电流:30.4 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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