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PHK4NQ10T,518

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 8-SO
数量：
 4761  
说明：
 MOSFET N-CH TRENCHMOSTM TRANSISTOR
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PHK4NQ10T,518-8-SO图片

PHK4NQ10T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：2500 mW
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：SOT-96
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：70 mOhms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PHK4NQ10T,518的详细信息，包括PHK4NQ10T,518厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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