PHM25NQ10T,518

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 8-HVSON（5x6）
数量：: 4842
说明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PHM25NQ10T,518 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：29 ns
包装形式：Reel - 13 in
封装形式：HVSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：30.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：NXP

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