| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NE651R479A |
NEC/CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压：- 4 V，漏极连续电流：1... |
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NE651R479A-A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引线|79... |
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NE651R479A-EVPW19 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE651R479A-EVPW24 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE651R479A-EVPW26 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE651R479A-EVPW35 |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压... |
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NE651R479A-T1-A |
CEL
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79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|12dB|3.5 V|1A|-|50 mA|27dBm|8 V|-|4-SMD，扁平引... |
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NE3508M04-T2-A |
CEL
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F4TSMM，M04 |
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射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-3... |
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NE3509M04-A |
CEL
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M04 |
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射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4dB|10 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|... |
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NE34018-64-A |
NEC/CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-82A，... |
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NE34018-A |
NEC/CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-82A，... |
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NE4210S01 |
CEL
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SMD |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：CEL|带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE4210S01-A |
NEC/CEL
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S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：13 dB，噪声系数：0.5 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE4210S01-T1B |
CEL
|
SMD |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13dB|2 V|15mA|0.5dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE425S01 |
NEC/CEL
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S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.6 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE425S01-T1B |
NEC/CEL
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S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.6 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE3509M04-T2-A |
CEL
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M04 |
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射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|17.5dB|2 V|60mA|0.4d... |
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NE3510M04-A |
CEL
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M04 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB|15 mA|11dBm|4 V|-|SOT-343F|M... |
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NE3510M04-T2-A |
CEL
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M04 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|4GHz|16dB|2 V|97mA|0.45dB... |
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NE3511S02-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引线|S... |
