NE651R479A-EVPW19

厂家:
  CEL
封装:
 79A
数量:
 846  
说明:
 射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz
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NE651R479A-EVPW19 PDF参数资料

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中文参数如下:

P1dB:27 dBm
封装形式:79A
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:2.5 W
最大工作温度:+ 125 C
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:- 4 V
漏源电压 VDS:8 V
增益:12 dB
频率:1.9 GHz
技术类型:HEMT
RoHS:否
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:CEL

以上是NE651R479A-EVPW19的详细信息,包括NE651R479A-EVPW19厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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