NE3508M04-T2-A

厂家:
  CEL
封装:
 F4TSMM,M04
数量:
 3375  
说明:
 射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
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NE3508M04-T2-A PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:F4TSMM,M04
封装/外壳:SOT-343F
安装类型:-
电压 - 额定:4 V
功率 - 输出:18dBm
电流 - 测试:10 mA
噪声系数:0.45dB
额定电流(安培):120mA
电压 - 测试:2 V
增益:14dB
频率:2GHz
配置:-
技术:GaAs HJ-FET
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:CEL

以上是NE3508M04-T2-A的详细信息,包括NE3508M04-T2-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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