Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3872DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30/-20V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V，漏极连续电流：... | ||||||
|
SI3872DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30/-20V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V，漏极连续电流：... | ||||||
|
SI3879DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.0A 3.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3879DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.0A 3.3W 70mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3900DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SI3900DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3900DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3905DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 8V 2.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI3905DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8V 2.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI3905DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
SI3909DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3909DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3909DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
|
SI3911DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3911DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.2A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3911DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.2A 1.15W 145mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
|
SI3915DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
|
|
SI3915DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
|
|
SI3932DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：3.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.... | ||||||
|
|
SI3948DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
77/219 首页 上页 [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] 下页 尾页
