SI3900DV-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 6-TSOP
数量:
 378  
说明:
 MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V
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SI3900DV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI3900DV-GE3
功率耗散:830 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.125 Ohms
漏极连续电流:2 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3900DV-T1-GE3的详细信息,包括SI3900DV-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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