SI3909DV-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TSOP-6
数量:
 8298  
说明:
 MOSFET 20V 1.8A
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SI3909DV-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:19 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:3000
上升时间:34 ns
功率耗散:1.15 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:34 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms
漏极连续电流:1.8 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3909DV-T1的详细信息,包括SI3909DV-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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