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SI3872DV-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TSOP-6
数量：
 2367  
说明：
 MOSFET 30/-20V
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SI3872DV-T1-TSOP-6图片

SI3872DV-T1 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：1.15 W
栅极电荷 Qg：2.1 nC, 2.7 nC
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms, 0.16 Ohms
漏极连续电流：2.5 A, 1.8 A
汲极/源极击穿电压：30 V, 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3872DV-T1的详细信息，包括SI3872DV-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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