Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI4838DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI4702DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 5.5A 1.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：5.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：24... | ||||||
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SI4700DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 | MOSFET SPDT Power Select Sw | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SOIC-8，工厂包装数量：100，... | ||||||
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SI4462DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 200V 1.5A 2.5W 480mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4462DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 200V 1.5A 2.5W 480mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4703DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4A 1.2W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，漏极连续电流：4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：66 mOhms，配置：Dual，最大... | ||||||
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Si4714DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 | MOSFET 30 Volts 13.6 Amps 4.5 Watts | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI4712DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 14.6A 5.0W 13mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.5 V，漏极连续电... | ||||||
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SI4710CY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET P-Ch Battery Disc | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲... | ||||||
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SI4710CY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET P-Ch Battery Switch | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4455DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4455DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,698 | MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4456DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4456DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 120,138 | MOSFET 30V 29A 7.8W 5.0mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI4463BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1,467 | MOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4463DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI4463DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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SI4463DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 10A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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