SI4712DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 8262
说明：: MOSFET 30V 14.6A 5.0W 13mohm @ 10V

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SI4712DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4712DY-GE3
功率耗散：5 W
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.013 Ohms
漏极连续电流：14.6 A
闸/源击穿电压：2.5 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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