SI4463BDY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 2295  
说明:
 MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI4463BDY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4463BDY-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI4463BDY-GE3
典型关闭延迟时间:115 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:1.5 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):11 mOhms
漏极连续电流:9.8 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4463BDY-T1-GE3的详细信息,包括SI4463BDY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC