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SI4702DY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 5769  
说明：
 MOSFET 30V 5.5A 1.25W
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SI4702DY PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：100
功率耗散：1250 mW
最小工作温度：- 55 C
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：24 mOhms
漏极连续电流：5.5 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4702DY的详细信息，包括SI4702DY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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