Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SQ1420EEH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 60V 1.6A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ1421EEH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70 | MOSFET 60V 1.6A 3.3W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ1431EH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70 | 2118 | MOSFET 30V 3A 3W P-Ch Automotive | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SC-70-6 | MOSFET 30V 2.8A 3.3W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SQ2310ES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23 | 2955 | MOSFET 20V 6A 2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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SQ2319ES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 40V 4.6A 3W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 4.6 A，电阻... | ||||||
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SQ2360EES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 4.4A 3W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.4 A，电阻汲极... | ||||||
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SQ2361EES-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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SQM110N04-03-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQM110N04-04-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V 120A 250W 3.5mohm @ 10V | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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SQM110N05-06L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 55V 110A 158W 6.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQM110N06-04L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 120A 437.5W 3.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQM110N06-06-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 60V 120A 230W 6.0mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQM120N04-1M7L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | 1401 | MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电... | ||||||
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SQM200N04-1M1L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-7L | 785 | MOSFET 40V 200A, 375W Automotive | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：200 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SQM40N10-30-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：3.5 V，漏极连续... | ||||||
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SQM40N15-38-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 150V 40A 166W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQM47N10-24L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263 | MOSFET 100V 47A 136W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 8A 5W N-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 40V 7.4A 5W P-Ch Automotive | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 7.4 A，电阻... | ||||||
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