SQ2310ES-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23
数量：: 6789
说明：: MOSFET 20V 6A 2W

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SQ2310ES-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ2310ES-GE3
典型关闭延迟时间：21 ns
上升时间：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：4.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：27 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：6 A
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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