SQ1421EEH-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SC-70
数量:
 3807  
说明:
 MOSFET 60V 1.6A 3.3W P-Ch Automotive
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SQ1421EEH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SQ1421EEH-GE3
典型关闭延迟时间:13 nS
上升时间:25 nS
功率耗散:3.3 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:3.6 nC
下降时间:9 nS
包装形式:Reel
封装形式:SC-70
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.29 Ohms at -10 V
漏极连续电流:- 1.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQ1421EEH-T1-GE3的详细信息,包括SQ1421EEH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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