SQM200N04-1M1L-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-7L
数量：: 9776
说明：: MOSFET 40V 200A, 375W Automotive

一、本商品被浏览0次.

SQM200N04-1M1L-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：665 ns
商标名：TrenchFET
上升时间：18 ns
功率耗散：375 W
栅极电荷 Qg：413 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：219 S
下降时间：189 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-7L
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0011 Ohms
漏极连续电流：200 A
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM200N04-1M1L-GE3的详细信息，包括SQM200N04-1M1L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：