Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSS92 | Vishay/Siliconix | TO-18-3 | MOSFET 200V 0.15A 1.0W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.12 A... | ||||||
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2N7000KL-TR1 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 60V (DS) .47A .8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7000KL-TR1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-92 | MOSFET 60V (DS) .47A .8W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002E | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,818 | MOSFET 60V 240mA 0.5W 3.0ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 0.115A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002E-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 60V 0.24A T&R | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002E-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 0.24A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002E-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21,000 | MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002K-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 60V 0.3A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002K-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 1,161,645 | MOSFET 60V 0.3A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：70 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 772,164 | MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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2N7002-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3 | 1767 | MOSFET 60V 0.115A 0.2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2,924 | MOSFET 60V 0.115A 0.2W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N7002-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 7,985 | MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：2N7002-GE3，... | ||||||
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2N6659 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 35V 1.8 OHM | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：35 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极... | ||||||
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2N6659-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 35V 1.8 Ohm | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Bulk，工厂包装数量：100，... | ||||||
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2N6660 | Vishay/Siliconix | TO-39-3 | 1578 | MOSFET 60V 0.99A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N6660-E3 | Vishay/Siliconix | TO-205AD（TO-39） | MOSFET 60V 0.99A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N6661 | Vishay/Siliconix | TO-39-3 | 1500 | MOSFET 90V 0.9A | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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2N6661-2 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 90V 0.86A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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