2N7002K-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
数量:
 776754  
说明:
 MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V
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2N7002K-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:2N7002K-GE3
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:3000
功率耗散:0.35 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:0.4 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :100 mS
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2 Ohms
漏极连续电流:300 mA
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是2N7002K-T1-GE3的详细信息,包括2N7002K-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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