2N6661

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-39-3
数量：: 2067
说明：: MOSFET 90V 0.9A

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2N6661 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：200
功率耗散：6.25 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Bulk
封装形式：TO-205AD
安装风格：Stud
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 Ohms
漏极连续电流：0.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：90 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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