2N6666

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 594
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

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2N6666 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：400
包装形式：Box
最大功率耗散：65 W
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：20 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—射极饱和电压：40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：PNP
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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