首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > 2N6659

2N6659

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-39
数量：
 531  
说明：
 MOSFET 35V 1.8 OHM
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2N6659 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：200
功率耗散：6.25 W
包装形式：Bulk
封装形式：TO-39
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：35 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N6659的详细信息，包括2N6659厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    • 2N6666图片

      2N6666

      两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

    • 2N6667图片

      2N6667

      两极晶体管 - BJT PNP Med Power

    • 2N6667G图片

      2N6667G

      达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP

    • 2N6668图片

      2N6668

      两极晶体管 - BJT PNP Pwr Darlington

    • 2N6668G图片

      2N6668G

      达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC