Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI5458DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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SI5459DU-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 单 | 3,788 | MOSFET 20V 8.0A 10.9W 52mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI5459DU-GE3，... | ||||||
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SI5461EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 6.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5461EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5461EDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5463EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 5.1A 2.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5463EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 5.1A 2.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5463EDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 5.1A 2.3W 62mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5465EDC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5465EDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI5468DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 3,000 | MOSFET 30V 6.0A 5.7W 28mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI5471DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI5473DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5473DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475BDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 6.0A 6.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475BDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 12V 7.6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 7.6A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475DC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 12V 6.0A 5.7W 32mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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